fe3a ... fe3g fe3a ... fe3g superfast switching silicon-rectifiers superschnelle silizium-gleichrichter version 2005-11-08 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 3 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 50...400 v plastic case kunststoffgeh?use ~ do-201 weight approx. gewicht ca. 1 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pack standard lieferform gegurtet in ammo-pack maximum ratings grenzwerte type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] forward voltage durchlass-spannung v f at/bei i f = 3 a fe3a 50 50 < 0.95 fe3b 100 100 < 0.95 fe3d 200 200 < 0.95 fe3f 300 300 < 0.95 fe3g 400 400 < 1.25 max. average forward re ctified current, r-load dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last t a = 75c i fav 3 a repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 30 a 1 ) peak forward surge current, 50/60 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50/60 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 125/135 a rating for fusing, t < 10 ms grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t 78 a 2 s junction temperature ? sperrschichttemperatur storage temperature ? lagerungstemperatur t j t s -50...+175c -50...+175c 1 valid, if leads are kept at ambient temp erature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 ty p e ? 0.05 1.2 ? 0.1 4.5 62.5 0.5 7.5 0.1
fe3a ... fe3g characteristics kennwerte leakage current ? sperrstrom t j = 25c v r = v rrm i r < 5 a reverse recovery time sperrverzug i f = 0.5 a through/ber i r = 1 a to i r = 0.25 a t rr < 50 ns thermal resistance junction to ambient air w?rmewiderstand sperrschicht ? umgebende luft r tha < 25 k/w 1 ) thermal resistance junction to leads w?rmewiderstand sperrschicht ? anschlussdraht r tht < 8 k/w 1 valid, if leads are kept at ambient temp erature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag 120 100 80 60 40 20 0 [%] i fav rated forward current versus ambient temperature ) zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. ) 1 1 [c] t a 150 100 50 0 10 10 1 10 10 2 -1 -2 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 t = 125c j t = 25c j fe3g fe3a...f 125a-(3a-0.95/1.25v)
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